2019-1(30)

Проектирование, изготовление и ввод в эксплуатацию оборудования объектов атомной отрасли

Наименование публикацииЭЛЕМЕНТЫ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУР GaInAs, ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ
Авторы© 2019 И.А. Сысоев*, Д.А. Гусев**, А.Е. Дембицкий**, А.Ю. Смолин**, В.Ф. Катаев**
Адреса авторов

*Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Северо-Кавказский федеральный университет»

** Волгодонский инженерно-технический институт – филиал НИЯУ МИФИ, Волгодонск, Россия

АннотацияЭкспериментально показана возможность формирования методом ионно-лучевого осаждения квантовых точек на основе трехкомпонентных твердых растворов GaInAs различных составов на поверхность GaAs. Рассмотрены особенности технологии ионно-лучевого осаждения. Определены оптимальные соотношения компонентов твердого раствора GaInAs, при котором квантовые точки характеризуются наименьшими размерами и наибольшей плотностью. Представлены результаты исследования спектров фотолюминесценции, морфологии поверхности полученных наноструктур. Полученные результаты могут представлять практический интерес для применения в многопереходных солнечных элементах с целью повышения их КПД.
Ключевые словасолнечные элементы, наноразмерные структуры, многокомпонентные твердые растворы, ионно-лучевое осаждение, технология, материалы для фотоэлементов
ЯзыкРусский
Список литературы
  1. Леденцов, Н.Н. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры [Текст] / Н.Н. Леденцов [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 1998. – Т. 32, вып. 4. – С. 385-410.
  2. Лунин, Л.С. Новые возможности ионно-лучевых технологий в задачах получения оптоэлектронных устройств на основе многокомпонентных соединений А3В5 [Текст] /
    Л.С. Лунин, И.А. Сысоев // Изв. вузов. Северо-Кавказский регион. Техн. науки. – 2003. – Спец. вып. С. 53-54.
  3. Лунин, Л.С. Ионно-лучевое осаждение фотоактивных нанослоев кремниевых солнечных элементов [Текст] / Л.С. Лунин, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко, Л.Н. Балабанова // Неорган. материалы. – 2012. – Т. 48. – № 5. – С. 517-522.
  4. Лунин, Л.С. Исследование фоточувствительных гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками, выращенных методом ионно-лучевого осаждения [Текст] /Л.С. Лунин [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2011. – № 6. –
    С. 58-62.
  5. Блохин, С.А. Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs [Текст] / C.А. Блохин [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2009. – Т. 43, вып. 4. – С. 537-542.
  6. Чеботарев, С.Н. Исследование фототока в солнечных элементах на гетероструктурах с массивом квантовых точек / С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко // Изв. вузов. Северо-Кавказский регион. Техн. науки. 2013. Вып. № 2. – С. 97-99.
  7. Салий, Р.А. Определение технологических параметров роста в системе InAs-GaAs для синтеза «многомодальных» квантовых точек InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений [Текст] / Р.А. Салий [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2015. – 49, вып. 8.
  8. Благин, А.В. Физико-технологические особенности ионно-лучевого осаждения наноразмерных структур на основе твердых растворов А3В5 [Текст] / А.В. Благин [и др.] // Изв. вузов. Северо-Кавказский регион. Техн. науки. – 2011. № 5. – С. 125-128.
  9. Лунин, Л.С. Формирование квантовых точек InAs на подложках GaAs методом ионно-лучевого осаждения / Л.С. Лунин, И.А. Сысоев, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко // Вестн. Южного науч. центра РАН. – 2010. – Т. 6, № 4. – С. 46-49.
  10. Сысоев, И.А. Формирование массивов квантовых точек GaxIn1-xAsyP1-y/GaAs в процессе ионно-лучевого осаждения [Текст] / И.А. Сысоев [и др.] // Неорганические материалы. – 2014. – Т. 50,
    № 3. – C. 237-244.
Страницы67 - 73
URL cтраницыАдрес статьи
 Открыть публикацию